Наш Карачев - Информационный портал города и области
Меню сайта
Поиск
Категории раздела
Вход на сайт
Статистика
Карачев - Библиотека, Заря, статьи, обзоры.
| Главная » Статьи » Обзорные » Разное |
Особенности эксплуатации транзисторов в
|
При разработке, изготовлении и эксплуатации радиоаппаратуры следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность бытовой электроники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации. Полупроводниковые приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.). Общие условия, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, находятся в частных технических условиях. Для удобства конструирования и ремонта основные характеристики транзисторов и их схемы собраны в справочнике. К преимуществам электронного справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск нужного транзистора по маркировке и аналогу. Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые характеристики транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при различных допустимых условиях применения. Необходимо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании полупроводниковых приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы. Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу бытовой электроники, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить должные условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы - трехполюсники универсального назначения. Они могут быть отлично использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других аппаратах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в Интернет справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ. Значения большинства параметров транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, и с увеличением температуры значения параметров от режима заметно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости могут использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение. При разработке радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. | |
| Категория: Разное | Добавил: irusymix (14.04.2012) | |
| Просмотров: 1224 |
| Всего комментариев: 0 | |
Наш Карачев Информационный сайт о Карачеве и Брянском регионе. Газета Заря Карачевского района Брянской обл.
Карачев фото, видео, история, справочная. Сайт открыт 15.02.2009.
Карачев фото, видео, история, справочная. Сайт открыт 15.02.2009.